連関資料 :: 工学
資料:64件
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シミュレーション工学
- 【東京大学】【優】物体の変形のシミュレーション
- シミュレーション
全体公開 2014/10/06- 閲覧(1,011)
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知識工学
- 推論 分の内容によらずに、一般的に成り立つ規則。 論理プログラミング 述語論理：述語を主体にして記号化する。 命題論理 文の構造に注目しない。 ”太郎は人間である。” ”花子は人間である。” person(太郎) 述語 主語、目的語 モデル論：真理値表に基づいて審議を決める 手続き的意味論（操作的意味論）：推論規則で真偽を決める。 太郎は一郎の父親である。 述語 father (太郎,一郎) ↑ ↑ ↑ 父親である。 父親 子供 ↑ ↑ 述語名 個体(Individual) 演繹（A→B AからBを導く） 理論的側面 parent (pam, bob ). ↑ ↑ ↑ 述語名 第1引数 第2引数 述語は小文字で始める。 小文字ではじまるのは定数 大文字ではじめるのは変数 記号の空間 意味の空間 ・parent ・true or false ・pam ・pamという人 ・bob ・bobという人 定数の集合D 意味の空間S D→S 述語P(x1,x2,・・・xn) D={pam,tom,bob,liz,ann,pat,jim} prarentは2引数だからD²を考える D²={ (pam,pam),(pam,tom),・・・ (tom,pam),(tom,bob)・・・ (jim,pam),(tom,bob)・・・} 7²=49 演習1 (1) parent(jim,X). no (2) parent(X,jim). X=pat (3) parent(pam,X), parent(X,pat). X=bob (4) parent(pam,X),parent(X,Y),parent(Y,jim). X=bob,Y=pat female(pam). pamは女性である。同じ述語の定義は連続して記述する。 female(liz). female(ann). female(pat). male(tom). male(bob). male(jim). 子孫を定義する offspring(liz,tom) 関係系データベースのビュー機能を使う offspring(Y,X):-parent(X,Y) すべてのX,Yにおいて、parent(X,Y)が真ならば、offspring(Y,X).は真である。 一般形 H :- B₁,B₂,・・・Bn 結論部 条件部 B₁かつB₂かつ・・・Bnが真ならば、Hは真。（条件がない場合は事実を表す。） mother(X,Y):-parent(X,Y),female(X). grandparent(X,Z):-parent(X,Y),parent(Y,Z). sister(X,Y):-parent(Z,X),parent(Z,Y),female(X). 証明論(how)VSモデル論(what) ?- mother(pam,bob) ルール mother(X,Y):-parent(X,Y),female(X).を使用する。 ?-parent(pam,bob),female(pam) 事実parent(pam,bob)を使用する。 ?-female(pam) 事実female(pam)を使用する。 ?-□ 証明終了 A→B Aが真であることがわかると→前向き推論 Bも真にする Bを証明したい A→BよりAを証明する→後ろ向き推論 Aが真であると証明終了。 再帰的ルール predecess
- レポート 理工学 prolog 論理プログラミング 知識工学
550 販売中 2007/04/05- 閲覧(1,933)
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半導体工学
- １．シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギーギャップは1.11[eV]程度である。これに比べて中央からの差異が数％程度であるので、ほぼ中央にある。よって、禁制ギャップの中央にあると仮定するのは妥当である。 ２．1×106[1/cm3]のホウ素がドープされたシリコンのエネルギーバンド図を次の各温度について、それぞれ描きなさい。 ※バンドの上端、下端、真性フェルミ順位、実際のフェルミ順位を真性フェルミ順位を基準として描くこと。 (a)-78℃、(b)27℃、(c)300℃ 図１ キャリア密度の温度依存性 図１より、約100[k]から300[k]までは電子密度は温度が変わっても変化せず、ドープされたアクセプタ密度で決まる一定値(1×106[1/cm3])を保つ。そして、400[k]を超えると価電子帯から伝導体への電子励起が優勢となり始め、ついにはドナー密度
- レポート 理工学 半導体 フェルミ トランジスタ 演習 解答
- 550 販売中 2007/07/20
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教育工学
- 学校教育の長所と短所をふまえて、今後の学校教育のあり方を論じなさい。 戦後日本の教育は第一次アメリカ教育使節団の報告によって教育の機会均等と民主的な教育原理に基づく根本的な改革を勧告される。そこで「教育刷新委員会」が結成されこの委員会により教育基本法や学校教育法などが制定される。この法のした学校は意図的・計画的に教育を行う専門機関として設けられ、教育の内容は教育の目的に照らし意図的に準備され、子どもの発達段階や興味・関心などを考慮して計画的に学習できるように組織されているこれを「教育課程（カリキュラム）」という。カリキュラムは社会の変化により教育目標が違ってくるので、その時代事に変化しつづけている。これは学校教育の大きな特長であり、時代にあった教育を取り入れる事は長所であると考える。なぜなら、例えば日本は高度成長期時代、今後の日本国産業社会の発展又、国際競争に対応しうる人材の効率的養成のために、特に科学技術の教育（数学・算数・理科）の時間数を増加し系統的に学習するカリキュラム「知識を教え込む教育」を行ってきた。よく言う「詰め込み教育」「教科主義」といかれるカリキュラムである。
- 学校教育 短所 長所 メリット デメリット 今後
- 550 販売中 2009/05/07
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