資料:650件
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演算増幅回路
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目的 演習増幅器(オペアンプ)の基本的な演習増幅回路を構成し、その特性を計測、理解する。 実験方法 2.1.反転増幅回路 発振器の出力電圧波形を正弦波200MHz,2Vp-p(peak-to-peak)に設定し発振器の出力波形を確認した。 演算増幅回路実験装置を用いて、510Ωと5.1kΩの抵抗を用いて増...
- 550 販売中 2007/05/22
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PCRとは何か
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生物工学 レポート2 題名 PCR(polymerase chain reaction)法の原理 PCR法は1983年にマリス(K. Mullis)らによって考案されたものであり、短時間に大量の遺伝子を指数関数的に増幅させる方法の一つである。以下に、どのようなメカニズムによって増幅するかのを実験操作ならびに...
- 550 販売中 2007/05/08
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ダイオードの基本特性に関するレポート
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1.ダイオードの基本特性に関するレポート 1-0 予備実験 (1)予備実験の目的 金属被膜抵抗の電圧-電流特性を測定し、電圧計と電流計の挿入位置による測定誤差や補正方法を学び、本実験での適切な測定方法を検討する。今回の予備実験では一般に、V-I法、I-V法と呼ばれる、電圧...
- 550 販売中 2007/04/22
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トランジスタ回路の基礎実験
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1.実験の目的 接合型トランジスタの静特性をエミッタ接地、ベース接地についてそれぞれ実際に測定する。また、静特性をトランジスタの直流等価回路から考える。 ベース接地電流増幅率とエミッタ接地電流増幅率の関係を求める。 最後に、エミッタ接地増幅回路について適切なバイア...
- 550 販売中 2007/04/22
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コメント(1)
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オシロスコープを使った基本的な実験
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(Ⅰ-1) オシロスコープを使った基本的な実験 実験報告書(3班) 再提出版 実験日 10月30日 11月6日 11月8日 1.実験の目的 プローブの内部構造・動作原理をしり、プローブの正しい使い方を検討した。また、オシロスコープのX-Yモードを用いて、リサージュ図形から入力波と出力...
- 550 販売中 2007/04/22
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知識工学
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推論 分の内容によらずに、一般的に成り立つ規則。 論理プログラミング 述語論理:述語を主体にして記号化する。 命題論理 文の構造に注目しない。 ”太郎は人間である。” ”花子は人間である。” person(太郎) 述語 主語、目的語 モデル論:真理値表に基づいて審議を決める 手続...
- 550 販売中 2007/04/05
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情報化
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情報技術が発展してきた昨今、よく情報化という言葉が用いられている。主に情報化社会などと使われることがあるが、実際どのような意味をもつのだろうか。 とりあえずは、高度な情報通信・処理システムの普及にともなう現代社会の産業的、社会的、文化的変化として捉えておくことが...
- 550 販売中 2007/06/14
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DNA実験
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1.表題 分子生物学 基礎実験 そのⅠ 2.目的 細菌やカビがもつ、染色体とは独立に自己複製を行う核外遺伝子であるプラスミド。このプラスミドについて今回の実験では、プラスミドベクターと外来遺伝子を挿入したプラスミドベクターを用いて形質転換の実験とプラスミド調製の実験...
- 550 販売中 2007/07/01
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「映画『大日本人』の科学的考察」
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巨大化した人間と動作 –映画「大日本人」考察- 序論 本レポートでは、映画「大日本人」(2007年 松本人志監督)に着想を得て、人体(主人公:大)が巨大化した際に必要とするSF的エネルギーの考察と、巨大化した仮定下での人間の動作(主にランニング)を考察する。 1.設定データ...
- 550 販売中 2007/10/12
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Fourierの形式解
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Fourierの形式解は となることを示せ( ) フーリエの形式解は、 と書き表され、式を展開すると、 となる。 上式の第一項目を加法定理を用いて変形すると、 (ここで、 とした。) -----------① ------② ①、②よりFourierの形式解は、 となる。
- 550 販売中 2007/07/21
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量子力学B
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1(a)Z軸の正の方向に電界をかけ、電界中におかれた水素原子の基底状態には1次の摂動エネルギー変化がないことを証明せよ。 よって、1次の摂動エネルギー変化がない (b) 積分 を計算せよ (c)n=2の状態のみを考慮した場合の二次の摂動エネルギーを求めよ。 同様に、 、 となる。 よ...
- 550 販売中 2007/07/21
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半導体工学
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1.シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギーギャップは1.11[eV]程度である...
- 550 販売中 2007/07/20
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