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半導体デバイスの基礎特性
- 目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイスの動作原理の理解を深める． 理論 pn接合 順方向電流-電圧(I...
550 販売中 2009/05/21- 閲覧(3,576)
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半導体デバイスの基礎特性
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