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半導体ダイオードの静特性
- 1.実験目的 PN接合からなる各種半導体ダイオードの静特性を測定し、それらの特性の特徴を理解しどのような用途に使われているか考える。 2.実験原理 PN接合で接合部のエネルギー障壁を越えるとP領域からN領域への正孔の注入、及びN領域からP領域への
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ユニポーラトランジスタの静特性
- 1. 実験目的 電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、接合トランジスタとの相違点と類似点を把握する。 2. 実験原理 接合型FETには、ソース[S]、ドレイ
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バイポーラトランジスタの静特性
- 6.考察 今回の実験のVce−Ic特性では、図3よりVceが1[V]までは急激に上昇するが、それ以降は急激に値に変化が現れることはなくグラフは平坦になっていくのが分かる。これは、出力抵抗が大きいことを意味していて、トランジスタの増幅作用はVceが増加しても
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