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実験目的
電界効果トランジスタのゲート形を使い、その静特性の測定をする。またこの実験を通して電界効果トランジスタの動作原理及び理解を深め、接合トランジスタとの相違点と類似点を把握する。
実験原理
接合型FETには、ソース[S]、ドレイン[D]、ゲート[G]と3つの端子が有る。この時電圧 により電子はSからDへ移動するので はDからSへ流れる。この電流通路をチャンネルと言う。下記の図1の様にN型チャンネル接合型FETにはn型半導体の両側面にpn接合を形成した構造である。ソースに対してゲートが負になるような電圧 をかけると、pn接合に対して逆方向電圧となるので図1の様にn型半導体内部に空乏層ができる。ドレインの方がソース側に比べて空乏層が厚いのはドレインの高い電圧に近づき逆電圧が高くなる為である。 を負の方向に大きくしていくと空乏層は更に広がり、 は減少する。これは の操作で をコントロール出来る事を示している。 を零にし、 を増加させると も増加するがそれに伴い空乏層の幅も広がり更に を増加させると上下の空乏層がぶつかる状態になる。この状態をピンチオフ状態と言い、 はほぼ一定を保ち飽和す...

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