資料:1件
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熱拡散による半導体pn接合の作製
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1 目的 本実験では，拡散によってSiウエハ表面へ不純物原子を導入することにより，pn接合を形成する．また，作製したウエハの抵抗や伝導型を調べる． 2 実験装置 本実験で使用した装置などを次に示す． 管状電気炉， ガス，Siウエハ(n型)，ボロンプラス，酸類，有機洗剤，比...
550 販売中 2006/02/10- 閲覧(4,672)
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