資料紹介

１．実験の目的
　ｗｈｅａｔｓｔｏｎｅ橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。
２．測定原理
　金属の電気抵抗Ｒは、金属中の自由電子の状態によるもので、様々な要因で電子の移動が妨げられて、Ｒの値が決まる。金属のＸは温度によって変化し、温度のあまり広くない範囲では温度に比例するとみなせるので、
　　Ｒ＝Ｒ0（１＋αｔ）　　…（31.1）
で表される。
ここでＲ０は温度０℃のときの抵抗値で、αは温度係数を示す。
　半導体では、安定なあるエネルギー準位にある電子が活性化エネルギーを受けることで自由電子の数は温度とともに増大するため、Ｒは減少する。サーミスタは半導体の一種で、絶対温度Ｔにおける抵抗値Ｒは、ある特定温度Ｔ１のときの抵抗値Ｒ１との間に、
　Ｒ＝Ｒ１ｅｘｐ[Ｂ（１/Ｔ−１/Ｔ１）]　　…（32.2）
という関係が成り立つ。
Ｒ１、Ｂの値はサーミスタの固有値で、普通Ｒ１はＴ１＝２５℃の値で、Ｂは活性化エネルギーに関する定数である。したがって、サーミスタの温度係数βは、
　　β＝１/Ｒ・ｄＲ/ｄＴ＝−Ｂ/Ｔ２　　…（32.3）
で表される。
３．実験方法
１）実験装置
　今回の実験は、銅とサーミスタで行った。
　局型ﾎｲｰﾄｽﾄﾝﾌﾞﾘｯｼﾞ2台，温度計，油浴，オイル，
電熱器，攪拌器，電流計，電圧計，検流計，試料（銅，サーミスタ）
２）実験操作
１．電流計、電圧計の電源を入れた。
２．試料の銅とサーミスタがそれぞれホイートストンブリッジにつながっているか確認し、銅用ホイールストーンブリッジのＡの抵抗を10Ω、Ｂを1000Ωに、サーミスタ用ホイートストンブリッジのＡを1000Ω、Ｂを100Ωに設定した。
３．検流計の感度を最低にし、抵抗Ｒの∞のネジを抜き、検流計の指針が＋に触れることを確認した。
（感度を最初から最大にしておくと、指針が振り切れて、検流計が壊れるため、測定時には徐々に感度を挙げていく方法をとる必要があった）

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実験の目的
　ｗｈｅａｔｓｔｏｎｅ橋を使用して、金属と半導体の電気抵抗の温度依存を調べる。
測定原理
　金属の電気抵抗Ｒは、金属中の自由電子の状態によるもので、様々な要因で電子の移動が妨げられて、Ｒの値が決まる。金属のＸは温度によって変化し、温度のあまり広くない範囲では温度に比例するとみなせるので、
　　　　　　　Ｒ＝Ｒ0（１＋αｔ）　　…（31.1）
で表される。
ここでＲ０は温度０℃のときの抵抗値で、αは温度係数を示す。
　半導体では、安定なあるエネルギー準位にある電子が活性化エネルギーを受けることで自由電子の数は温度とともに増大するため、Ｒは減少する。サーミスタは半導体の一種で、絶対温度Ｔにおける抵抗値Ｒは、ある特定温度Ｔ１のときの抵抗値Ｒ１との間に、
　　　　　　　Ｒ＝Ｒ１ｅｘｐ[Ｂ（１/Ｔ－１/Ｔ１）]　　…（32.2）
という関係が成り立つ。
Ｒ１、Ｂの値はサーミスタの固有値で、普通Ｒ１はＴ１＝２５℃の値で、Ｂは活性化エネルギーに関する定数である。したがって、サーミスタの温度係数βは、
　　　　　　　β＝１/Ｒ・ｄＲ/ｄＴ＝－Ｂ/Ｔ２　　…（32.3）
で表される。
実験方...

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