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連関資料 :: 物理学実験

資料:13件

  • 物理学実験のレポート
  • 物理学実験レポート　　　　　　　　 太陽電池 実験に用いた太陽電池の種類 １（a)太陽電池と太陽電池用モーターを繋ぎ、光を当ててモーターが回転するのを観察する。 多結晶 →電圧が小さいのはまわらなかった。電圧大きいのはまわった。 単結晶 →光の強さによってまわったりまわらなかったりした。 アモルファス　→まわった。 （ｂ）太陽電池用とされるモーターとプラモデルなどに使う普通のモーターの違いを観察する。 　太陽電池に当てる光の強さを変化させたとき、モーターの回転の様子は２つのモーターでどのように変わるか、特に低電圧時の様子。 太陽電池用モーター プラモデル用モーター 多結晶３枚 （１．６Ｖ） ２２cm 速い 5cm 速い 多結晶１枚 （０．５Ｖ） ３０cm ゆっくり まわらなかった 太陽電池用モーター　→曇りの日でもゆっくりと長く回るようになっている。 ２（a)太陽電池の起電力を測定する。 多結晶 １枚　　　　　　→０．５１Ｖ〜０．５４Ｖ ３枚（横＆縦）→１．６Ｖ １８枚　　　　　→９．５Ｖ 単結晶 ４枚　　　　　　→１．９Ｖ アモルファス　　→１１．６Ｖ （ｂ）太陽電池に負荷をかけたとき、電圧と電流の測定をする。 回路図 125Ω可変抵抗器 Ｅ 0.25 0.45 0.7 0.8 0.95 1 1.05 Ｉ 13 12.5 12 11 9.6 8.5 7.5 Ｐ 3.25 5.625 8.4 8.8 9.12 8.5 7.875 Ｒ 0.0192 0.036 0.058 0.072 0.099 0.117 0.14 計算式 Ｒ＝Ｅ／Ｉ Ｐ＝Ｅ*Ｉ
  • レポート 理工学 実験 太陽電池 電気分解
  • 550 販売中 2005/12/20
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  • 東工大：物理学実験　「コンダクタンスの測定」
  • １　実験の目的 気体の流れの物理を学び、系の到達圧力を決定している要因を理解する。 ２　実験装置 　（図Ⅰ）のような実験装置を準備する。本装置は、真空容器１、２と間を接続するバルブ 付きの三本の導管からなる。真空は真空容器２に接続してあるロータリーポンプ（ RP ）を 用いて引き、圧力は各容器上部のピラニゲージ（ PG ）で測定する。真空容器には、リークバ ルブ（ LV ）が取り付けてあり、容器２とロータリーポンプ間は、主排気バルブ（ MV ）で接 続してある。 ３　実験原理 　コンダクタンスとは、（図Ⅱ）のような系において、 　で定義される、気体の流入出のしやすさをあらわす量である。 P1,P2 は容器内の圧力であ り、 Q は配管を流れる気体流量である。本実験では、較正と補正を測定しながら、系のコンダ クタンスの量を得る事が本筋である。 ４　実験手順 手順１　真空状態とポンプの動作確認 　系のバルブの開閉を適、 RP ス入れ、 MV と RP 間配管を真空に引次 に、 MV 、すの導管バルブ（ CV ）の順に開け、 PG のス入れる。 PG の真空下 がりかわらなる引 手順２　ピニ
  • 実験 測定 気体
  • 5,500 販売中 2009/07/08
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  • 東工大：物理学実験　「アナログ回路」
  • 1 実験の目的 オペアンプを用いた回路を作成し、その動作を確かめる。またオペアンプを用いた安定期及びボル テージフォロワ、減算器を作成することでオペアンプの実用的な使い方を学ぶ。 2 実験の原理 今回の実験では、オペアンプを用いた。オペアンプの性質を次に示す。オペアンプは非反転入力と反 転入力、そして一つの出力を備えた演算回路素子である。オペアンプは図 1 のような回路記号で表され、 出力電圧 Eout は非反転入力 E+ と反転入力 E− により次の式で与えられる。図中では出力電圧がピン 番号 1、反転入力がピン番号 2、非反転入力がピン番号 3 で与えられている。 Eout = (E+ E−) (1) ここで は増幅率である。理想的なオペアンプでは次のような条件が満たされているとする。 1. 入力インピーダンスが無限大 2. 出力インピーダンスが 0 3. 増幅率 が無限大 実在のオペアンプではこれらの条件は満たされていないが、満たされているものとしてその動作を論じ ることができる。1 が満たされているときの動作は具体的には次のとおりである。 E+ = E− のとき Eout =
  • 実験 回路 オペアンプ 増幅 原理 理想 抵抗 波形
  • 7,150 販売中 2009/07/08
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  • 東工大：物理学実験　「放射線1,2」
  • 霧箱を用いて放射線の飛跡を観察する。また飛跡の、粒子の違いによる太さや長さ、形状の違いなど に注目して考察をする。霧箱を用いた実験では、磁場中の荷電粒子の運動も観察した。。シンチレータ を用いた蛍光の観察なども行い、放射線の放射について考察を与えた。また、環境放射線を測定し、線 源を用いない場合にどのような強さの放射線が実験に影響を及ぼしうるのか考察した。 放射線には 線、 線、 線が存在し、それぞれ異なった性質を持つ。まずそれぞれの放射線がどの ように発生しどのような性質を持つのか述べる。 2.1 線 放射性核種は不安定であって 崩壊により、(Z,A)の親核は (Z-2,A-4)の娘核に変わる。その際 線 を出す。 線は陽子 2 個と中性子 2 個からなる、ヘリウムの原子核と同じものであることがわかってい る。2 はマジックナンバーであるからダブルマジックとなり 粒子はとても安定である。娘核と 線の 質量比は 1 対 20～60 程度であることを考えると、この崩壊の際に放出されるエネルギーはほとんどが 線の運動エネルギーとなることがわかる。 線の持つ運動エネルギーは娘核の種類によりい
  • 実験 電子 エネルギー 運動 考察 影響 理解 観察 不安
  • 7,150 販売中 2009/07/08
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  • 東工大：物理学実験　「放射線3,4」
  • シンチレータを用いた放射線の測定の原理を学び、実際に NaI シンチレータを用いて 線及び 線 のエネルギースペクトルの測定を行う。また、シンチレータと線源の間に遮蔽物を設置し、物質との相 互作用により放射線の数及びエネルギーがどのように変化するのを実験により観察する。 2.1 まず始めに、 線の相互作用について簡単にまとめておく。 線と物質の相互作用は、大きく分けて 次の３種類である。 1. 光電効果 2. Compton効果 3. 電子対生成 上から順に説明していく事にする。 (1) 光電効果 エネルギー EP の 線に対し、EP EB(EB は電子の束縛エネルギー)の電子がたたき 出される。シンチレータ中においてはこのたたき出された電子のほとんどはエネルギーを失って止まる。 EB に相当するエネルギーは特性 X 線などとして放出されるが、エネルギーが低いのでこれらもほぼ吸 収される。すなわち EP に比例したパルスが得られる。 (2)Compton 効果 Compton 散乱により電子が運動エネルギーとして受け取るエネルギーは、衝突前 の 線の進行方向を軸として散乱された光子の
  • 実験 電子 エネルギー 運動 測定 変化 原理 スペクトル 波長 増幅
  • 7,150 販売中 2009/07/08
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  • 東工大：物理学実験　「放射線5,6」
  • 半導体を用いた放射線の計測を行い、それを通じて検出器の性質を確かめる。またプリアンプや整形 アンプを通した波形を観察する事によって、得られる結果に対して考察を与える。 今回放射線の計測に用いたのは、半導体検出器と呼ばれる検出器である。半導体検出器より得られた 信号は、プリアンプおよび整形アンプを経て PCでそのエネルギーごとにカウントされる。以下に、検 出器および回路の概要を述べる。 2.1 半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P型半導体が用いられる。これらの半導体 を薄い皮膜を挟み接合したものを PN 接合と呼ぶ。PN 接合の付近では、正孔と電子が結合し、キャリ アが不足した状態が発生する。このような状態は PN 接合の付近で層状に見られ、空乏層とよばれる。 このような PN 接合した半導体に電圧をかけると、電圧の向きにより電流が流れる場合と流れない場 合がある： 順方向バイアス P型半導体の側にプラスの電圧をかける場合、これを順方向バイアスをかけるという。 この時、N 型半導体へは電子、P 型半導体へは正孔が注入されることになる。 逆方向バイアス P型半導体
  • 実験 電子 エネルギー 半導体 回路 測定 変化 波形 グラフ 時間
  • 7,150 販売中 2009/07/08
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  • 東工大：物理学実験　「デジタル回路」
  • ディジタル回路を組み合わせ回路を作成することにより、回路の動作を確認する。また、ディジタル IC の動作条件について調べる。具体的には TTLと CMOS についてスレッショルドレベルとファンア ウト数を求める。 2.1 組み合わせ回路 まずはじめに、組み合わせ回路を作成する。NAND 回路の真理値表は表1のとおりである。このNAND 入力 A 入力 B 出力 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 表 1: NAND回路の真理値表 回路を用いて OR 回路を作成する。OR 回路の真理値表は表 2 のとおりである。ブール代数を用いれば、 NAND 回路は A と B という入力に対し論理積の否定 ¯A ¯B を返し、OR 回路は A + B を返す。 入力 A 入力 B 出力 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 表 2: OR回路の真理値表 次に図 1 のような回路を作成した。 図 1: NAND回路を組み合わせて作った OR 回路 この回路は A と B という入力に対し A A B B = ¯A ¯B = ¯¯A + ¯¯B = A + B 入力 R 入力 S
  • 実験 回路 ロック NAND 種類 対応
  • 7,150 販売中 2009/07/08
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  • 東京工業大学:基礎物理学実験　「電気抵抗」　得点9点
  • １ . 今実験の内容の概略 前述の目的・課題達成のために以下の ような 実験を行った。 ホイートストﾝブリッジ を用いた実験 ホイートストﾝブリッジ を用いて、銅線及びサーミスターの電気抵抗の温度 変化を測定する。これより解析を行い、それぞれの抵抗の温度依存性を 表す実験式、銅の抵抗率の温度係数を求める。 これ らの実験による結果については前に簡単に記した。 実験の際の器具配置、使用順位は後述する。ここで、今実験で使われた実験器具について紹介 する。計測器具 についても 、使用したものを記した。 抵抗箱 　 (0.1Ω ～１ｋ Ω のもの２つ ) 可変抵抗器 検流計 　分流器 20Ω 　電池 1,5V 加熱用水槽 加熱用電源 白金 抵抗測温体 試料　 ( 金属抵抗体　直径 (1.00±0.08)×10 -4 m (3.00±0.02) m 、体抵抗体 ) これらの実験の・内容・結果について てい ２．実験原理 　今実験を行うに って、金属の電気抵抗 、体の電気抵抗、ホイートストﾝブリッジにつ いての可。 　 の電気のな、金属の電気の電気ではその温度依存性に な違 いる。金属のは、電気
  • 実験 電気 電子 抵抗 温度 金属 変化 依存 抗体 内容
  • 2,750 販売中 2009/07/07
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