資料:8件
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半導体デバイスの基礎特性
- 目的 半導体デバイスの基本であるpn接合を用いたダイオードに関して，電気的・光電的基礎特性を測定し，測定結果の解析から，半導体材料やpn接合の不純物濃度分布などに起因した特性の違いを把握し，半導体デバイスの動作原理の理解を深める． 理論 pn接合 順方向電流-電圧(I...
550 販売中 2009/05/21- 閲覧(3,591)
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オットーサイクル、ディーゼルサイクルでの効率ηの導出
- オットーサイクル、ディーゼルサイクルでの効率ηの導出 １．オットーサイクル U Q W A→B nCv(TB－TA) Q1 0 B→C 0 C→D -nCv(TD－TC) -Q2 0 D→A 0 UAB = nCv(TB－TA) UCD = -nCv(TD－TC) Q1 = UAB Q2 = －UCD WBC = WDA = UBC = WBC （断熱変化） UDA = WDA （断熱変化） 効率...
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Fourierの形式解
- Fourierの形式解は となることを示せ( ) フーリエの形式解は、 と書き表され、式を展開すると、 となる。 上式の第一項目を加法定理を用いて変形すると、 (ここで、 とした。) -----------① ------② ①、②よりFourierの形式解は、 となる。
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量子力学B
- 1(a)Z軸の正の方向に電界をかけ、電界中におかれた水素原子の基底状態には1次の摂動エネルギー変化がないことを証明せよ。 よって、1次の摂動エネルギー変化がない (b) 積分 を計算せよ (c)n=2の状態のみを考慮した場合の二次の摂動エネルギーを求めよ。 同様に、 、 となる。 よ...
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半導体工学
- １．シリコンの真性フェルミ順位を-78℃、27℃、300℃について求めよ。また、禁制ギャップの中央にそれがあると仮定するのは妥当か。 の式に 、 、 を各温度[k]において代入する。 (ⅰ)T=195[k] (ⅱ)T=300[k] (ⅲ)T=573[k] まず、シリコンのエネルギーギャップは1.11[eV]程度である...
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微分演算子法
- 微分演算子法 定義 まず最初に、 をDと書いて演算子という。 例えばn回微分可能な関数をy＝y(x)とする。ここでDyはyを1回微分するということであり はyを2回微分するということである。 と書いたらyを積分することである。 を逆演算子という。 解法 定数係数線形微分方程式 は演...
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二次系のインパルス応答
- 制御工学課題 ～二次系のインパルス応答～ 二次系のインパルス応答 伝達関数 のとき のとき のとき、
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分極率α0の導出
- 電気材料 分極率α0の導出課題 エネルギーUはトルクτ×角度より求まるので、θ=90のときからθ=0にまで移動したとすると、 これを用いて配向分極率P0は個々の双極子のEi方向の成分（μcosθ）の和を求めればよい。 ここで、 となることが分かっている。 よって、 上式を用い、配向分...
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