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乳酸脱水素酵素を用いた実験
酵素実験２　目的　酵素反応には第9章の基質濃度と反応速度のほかに、反応液中の温度やpHにより反応の仕方が異なる性質がある。この実験では、乳酸脱水素酵素を用いて、酵素反応の温度および、pHの影響と補酵素の重要性を理解する。結果実験1　温度と補酵素の影響補酵素あり補酵素なし反応条件 ①4℃ ②37℃ ③70℃ ④4℃ ⑤37℃ ⑥70℃ 吸光度 1.1549 0.6990 1.6990 1.4949 1.53785 1.53785 実験2　pH依存性 pH ⑦9.4 ⑧7.4 ⑨4.4 1.3209 0.62895 1.40905 考察実験1：温度と補酵素　酵素反応の温度を、4、37、70℃に設定し、反応終了後のピルビン酸(生成物)の吸光度を温度に対してプロットすると、グラフは釣鐘を逆さにした形になった。すなわち、吸光度は温度の上昇に従って減少し、37℃のときが最も低く、70℃でまた増加した。これは、37℃のときが、最もピルビン酸の変化が多いことを示しており、このとき酵素活性が最も高く、至適温度が存在することがわかる。　NADH(補酵素)を加えずに実験した方の吸光度
レポート農学酵素解糖補酵素
550 販売中 2007/02/16
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東工大：物理学実験　「アナログ回路」
1 実験の目的オペアンプを用いた回路を作成し、その動作を確かめる。またオペアンプを用いた安定期及びボルテージフォロワ、減算器を作成することでオペアンプの実用的な使い方を学ぶ。 2 実験の原理今回の実験では、オペアンプを用いた。オペアンプの性質を次に示す。オペアンプは非反転入力と反転入力、そして一つの出力を備えた演算回路素子である。オペアンプは図 1 のような回路記号で表され、出力電圧 Eout は非反転入力 E+ と反転入力 E− により次の式で与えられる。図中では出力電圧がピン番号 1、反転入力がピン番号 2、非反転入力がピン番号 3 で与えられている。 Eout = (E+ E−) (1) ここでは増幅率である。理想的なオペアンプでは次のような条件が満たされているとする。 1. 入力インピーダンスが無限大 2. 出力インピーダンスが 0 3. 増幅率が無限大実在のオペアンプではこれらの条件は満たされていないが、満たされているものとしてその動作を論じることができる。1 が満たされているときの動作は具体的には次のとおりである。 E+ = E− のとき Eout =
実験回路オペアンプ増幅原理理想抵抗波形
7,150 販売中 2009/07/08
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東工大：物理学実験　「デジタル回路」
ディジタル回路を組み合わせ回路を作成することにより、回路の動作を確認する。また、ディジタル IC の動作条件について調べる。具体的には TTLと CMOS についてスレッショルドレベルとファンアウト数を求める。 2.1 組み合わせ回路まずはじめに、組み合わせ回路を作成する。NAND 回路の真理値表は表1のとおりである。このNAND 入力 A 入力 B 出力 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 表 1: NAND回路の真理値表回路を用いて OR 回路を作成する。OR 回路の真理値表は表 2 のとおりである。ブール代数を用いれば、 NAND 回路は A と B という入力に対し論理積の否定 ¯A ¯B を返し、OR 回路は A + B を返す。入力 A 入力 B 出力 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 表 2: OR回路の真理値表次に図 1 のような回路を作成した。図 1: NAND回路を組み合わせて作った OR 回路この回路は A と B という入力に対し A A B B = ¯A ¯B = ¯¯A + ¯¯B = A + B 入力 R 入力 S
実験回路ロック NAND 種類対応
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東工大：物理学実験　「放射線1,2」
霧箱を用いて放射線の飛跡を観察する。また飛跡の、粒子の違いによる太さや長さ、形状の違いなどに注目して考察をする。霧箱を用いた実験では、磁場中の荷電粒子の運動も観察した。。シンチレータを用いた蛍光の観察なども行い、放射線の放射について考察を与えた。また、環境放射線を測定し、線源を用いない場合にどのような強さの放射線が実験に影響を及ぼしうるのか考察した。放射線には線、線、線が存在し、それぞれ異なった性質を持つ。まずそれぞれの放射線がどのように発生しどのような性質を持つのか述べる。 2.1 線放射性核種は不安定であって崩壊により、(Z,A)の親核は (Z-2,A-4)の娘核に変わる。その際線を出す。線は陽子 2 個と中性子 2 個からなる、ヘリウムの原子核と同じものであることがわかっている。2 はマジックナンバーであるからダブルマジックとなり粒子はとても安定である。娘核と線の質量比は 1 対 20～60 程度であることを考えると、この崩壊の際に放出されるエネルギーはほとんどが線の運動エネルギーとなることがわかる。線の持つ運動エネルギーは娘核の種類によりい
実験電子エネルギー運動考察影響理解観察不安
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東工大：物理学実験　「放射線3,4」
シンチレータを用いた放射線の測定の原理を学び、実際に NaI シンチレータを用いて線及び線のエネルギースペクトルの測定を行う。また、シンチレータと線源の間に遮蔽物を設置し、物質との相互作用により放射線の数及びエネルギーがどのように変化するのを実験により観察する。 2.1 まず始めに、線の相互作用について簡単にまとめておく。線と物質の相互作用は、大きく分けて次の３種類である。 1. 光電効果 2. Compton効果 3. 電子対生成上から順に説明していく事にする。 (1) 光電効果エネルギー EP の線に対し、EP EB(EB は電子の束縛エネルギー)の電子がたたき出される。シンチレータ中においてはこのたたき出された電子のほとんどはエネルギーを失って止まる。 EB に相当するエネルギーは特性 X 線などとして放出されるが、エネルギーが低いのでこれらもほぼ吸収される。すなわち EP に比例したパルスが得られる。 (2)Compton 効果 Compton 散乱により電子が運動エネルギーとして受け取るエネルギーは、衝突前の線の進行方向を軸として散乱された光子の
実験電子エネルギー運動測定変化原理スペクトル波長増幅
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東工大：物理学実験　「放射線5,6」
半導体を用いた放射線の計測を行い、それを通じて検出器の性質を確かめる。またプリアンプや整形アンプを通した波形を観察する事によって、得られる結果に対して考察を与える。今回放射線の計測に用いたのは、半導体検出器と呼ばれる検出器である。半導体検出器より得られた信号は、プリアンプおよび整形アンプを経て PCでそのエネルギーごとにカウントされる。以下に、検出器および回路の概要を述べる。 2.1 半導体検出器は、電子をキャリアとする N 型半導体および P型半導体が用いられる。これらの半導体を薄い皮膜を挟み接合したものを PN 接合と呼ぶ。PN 接合の付近では、正孔と電子が結合し、キャリアが不足した状態が発生する。このような状態は PN 接合の付近で層状に見られ、空乏層とよばれる。このような PN 接合した半導体に電圧をかけると、電圧の向きにより電流が流れる場合と流れない場合がある：順方向バイアス P型半導体の側にプラスの電圧をかける場合、これを順方向バイアスをかけるという。この時、N 型半導体へは電子、P 型半導体へは正孔が注入されることになる。逆方向バイアス P型半導体
実験電子エネルギー半導体回路測定変化波形グラフ時間
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