連関資料 :: 電子

資料:53件

  • 電子回路
  • < 1.帰還発振器 > 1.1 目的    帰還形のLC発振器およびRC発振器の諸特性を理解するとともに、帰還発振の概念を理解する。  1.2 実験結果  1.2.1 LC発振器 (1)Cを20(pF)から560(pF)まで変化させたときの発振周波数の変化と計算値の変化を、以下の表およびグラフで示す。 表1.1 各容量における発振周波数 C(pF) 測定値f(MHz) 計算値f(MHz) 0 1.6874   20 1.4221 2.4215 50 1.2341 1.5315 100 0.9747 1.0829 150 0.7567 0.8842 220 0.6686 0.7301 330 0.5354 0.5961 560 0.4368 0.4576 1 (2)各タップにおける発振が停止する周波数、R3Sの実測値と計算値および誤差を以下  の表で示す。    計算によるR3Sは下の式を用いる。   ただし、hoe = 3(μS)、Re = 8.2(KΩ)、Rb = 83.3(KΩ)であり、Qはタップ位置(1,2,3)それぞれにおいて61、41、28である。 表1.2 各相互インダクタンスにおける抵抗値R3S L(μF) L'(μF) M(μF) f(MHz) 実測値R3S(Ω) 計算値R3S(Ω) 誤差(%) 216 103 149 0.8835 97.9 88.9 10.1 216 55 109 0.8908 67.5 61.3 10.2 113 103 108 1.1791 59.3 51.4 15.3 113 55 78.8 1.1944 40.5 34.1 18.6 60 103 78.6 1.5504 28.7 25.6 11.9 60 55 57.4 1.5814 17.3 15.2 13.6 (3)R3=0(Ω)、C=100(pF)、LとL’をタップ1にして、電源電圧VCCを15V中心に1V刻みで±3V変化させたときの発振周波数の測定結果を表、グラフで示す。また、C=100(pF)、560(pF)のそれぞれについて、VCC=15Vの時の波形のスケッチを別紙(グラフ用紙 図1.13,1.14)に示す。 2 表1.3  C=100(pF)の各電源電圧における周波数変動率 電源電圧VCC(V) f(kHz) Δf(kHz) Δf/f0 12 853.77 -0.90 -0.00105304 13 854.06 -0.61 -0.00071373 14 854.34 -0.33 -0.00038611 15 854.67 0 0 16 854.94 0.27 0.000315911 17 854.41 -0.26 -0.00030421 18 853.60 -1.07 -0.00125195 表1.4  C=560(pF)の各電源電圧における周波数変動率 電源電圧VCC(V) f(kHz) Δf(kHz) Δf/f0 12 436.63 -0.13 -0.00029765 13 436.68 -0.08 -0.00018317 14 436.72 -0.04 -9.1583E-05 15 436.76 0.00 0 16 436.80 0.04 9.15835E-05 17 436.84 0.08 0.000183167 18 436.78 0.02 4.57917E-05 3 1.2.2 RC発振器 (1)各抵抗値での出力電圧と発振周波数の測定結果(実測値)および計算値を表、グラフで示す。 表1.5 各抵抗値による発振周波数と出
  • 帰還発振器 特殊波形回路 デジタル回路
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  • 電子の比電荷
  • (1) 目的  荷電粒子が磁場のかかった空間で運動すると、電磁作用の結果、粒子は磁場から力を受ける。この力は粒子の運動方向、磁束密度の方向に垂直である。そのため荷電粒子は向心力により、円運動をする。電子を使って、荷電粒子と磁場の相互作用を観察して、軌道半径を測定して電子の比電荷 を求める。 (2) 理論  一様な真空磁場内へ、磁場の方向に垂直に速度 で投出された電子は一定半径の円運動を行う。このとき と磁束密度 、及び円の半径の間には、一般に電荷 の荷電粒子が一様な磁束密度 の磁場内で速度 で運動すると磁場から力 (ローレンツ力)を受ける。 ・・・・?  は速度 、及び の方向に垂直でその大きさは        但し  、 は と のなす角である。  磁場内に と垂直に電子が投出されると電子は に垂直な平面で運動し、その接線成分は加速されない。また磁場の方向の運動は変化がないから考えないとする。運動方程式を接線方向と法線方向とでρを軌道の曲率半径として書くと、 接線方向  法線方向   ・・・・?     ?式より ・・・・?     ?式を変形すると、               ・・・・?  電子銃の陰極に対する陽極の電位差を とすると電子銃から投出される電子の運動エネルギーは ・・・・?    よって?,?式より ・・・・?  ここで磁束密度はこのままでは求まらない。したがってヘルムホルツコイルを使って求める。ヘルムホルツコイルとは一様は磁場を2つのコイルによって作る装置で2つの同じコイル(半径R、巻数n)を同じ中心軸上にRだけ離して平行においたものである。
  • レポート 理工学 電子 電荷 実験
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  • 電子マネーとは何か
  • 1電子マネーとは何か  電子マネーとは貨幣価値をデジタルデータで表現したものである。現金や預金の前払いと引換えに電子的なデータを取得し、これでモノを買ったり、サービスを受けることができる。この電子的データのことを『電子マネー』と呼ぶ。また特徴として電子的に資金を移動する決済の中で、コンピュータ・ネットワークなどを通して電子的に価値を移転できる(移転性)、支払いのプライバシーが店舗や銀行に漏れない(匿名性)、取引時に顧客と店舗以外の第3者が介入しない(相対性)がある。 1.1電子マネーの分類  電子マネーはアクセス型電子マネーとストアドバリュー型電子マネーの2種類に分類できる。日本ではストアドバリュー型電子マネーを標準的に電子マネーと定義している。 アクセス型電子マネーは銀行預金などの金銭的価値へのアクセスの支払をインターネットなどを通じて指図するものである。その意味でアクセス型電子マネーは預金通貨がより一層流動的になった形態であるといえる。また、銀行口座を通じての決済なので、商店などへの支払には利用できるが、個人間で直接電子マネーを手渡すことは出来ない。ネットショップに、クレジットカード番号を暗号化して送信するクレジットカード決済や、銀行が提供するオンラインバンキングなどである。  ストアドバリュー型電子マネーはコンピュータや、ICカードなどに金銭的価値を貯蔵し、それを支払に利用する。プリペイド・カードの仕組みと似ていることからプリペイド型とよばれることもある。 1.2電子マネーの流通経路  ストアドバリュー型電子マネーにはオープンループ型とクローズドループ型があり、転々流通型、還流型とも言われる。オープンループ型は発行機関から発行された電子マネーは発行機関に戻って来るとは限らず、どういう経路でも流れていくことができる。
  • レポート 金融学 電子マネー Edy 日本で使われている電子マネー Suica 金融
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  • 電子回路シュミレポート
  • Ⅰ. 実験の目的 Pspiceを用いて基本的な電気回路、電子回路のシミュレーションを行う。また、トランジスタ増幅回路実験にむけて増幅回路を設計し、シミュレーションを行い設計値と比較、誤差率を求める。シミュレーションを行うことにより電気回路、電子回路の理解を深める。   Ⅱ. 課題    1)RLC直列回路の過渡現象をシミュレートする。   (ⅰ) Pspiceを用いたシミュレート      図1:RLC直列回路 (R=20(Ω)、また学籍番号の関係より、L=2+1=3(mH)、C=(2+1)×10=30(μF)である。)    RLCの各素子にかかる電圧及び回路に流れる電流のシミュレート結果をグラフとして示す(別紙図5参照)。   (ⅱ) 実際の計算による解析    RLC直列回路について回路方程式をたてると、   になり、電荷qについて表すと、 となる。定常項qsは(dq/dt)=0より、 1 である。次に過渡項qtを求める。qtは の一般解である。ここでqt=A eptと仮定し、また(d/dt)=pとし上式に代入すると、 qt = A ept ≒ 0であるから、 のような特性方程式が得られる。この方程式を解き、  R=20(Ω)、L=3(mH)、C=30(μF)の値より、R2=(4L/C)であるので、 とおくと、e-αtとt e-αtが特殊解にあたるので、その一般解は したがって、 A   t=0において、q=0、i=0の条件より、0 = CE + A、0 = B - αAの二式が得られ、よって積分定数は   これらを代入して、    また各素子にかかる電圧は、 2   以上の導出した式に E=10(V)、R=20(Ω)、L=3(mH)、C=30(μF)、-α=-(R/2L)=(-1/3)×104   を代入して、グラフに表すと以下のようになる。    上記グラフはPSpiceでのシミュレーション結果(図5)と極めて近似されており、解析結果の正当性が確認できたといえる。    2)「トランジスタ増幅器製作実験」の指導書に従い、増幅回路を設計する。与えられた設計条件は以下の通りである。 表1:設計条件 出力振幅 Vopeak(V)(以上) 5 電圧利得 AV 以上 200 負荷抵抗 RL(kΩ) 13 電圧利得with NF AVNF 40 設計手順(1)VCEmin=1(V)とし、指導書の例と同様に最大出力電圧に1(V)の余裕をもたせてVOpeak=6(V)で設計する。つまりVCEQ=7(V)、VCEの下限VCEmax=13(V)になる。     (2)(VCEmax-VCEQ)/ICQ = RC //RLの式よりRCが決まる。 3 また|AV|は、|AV|= hfe(RC //RL)/ hieから求める。ICQ=0.5、1.0、1.5、2.0(mA)について計算すると値は次頁のようになる。 表2:各ICQでの計算結果 ICQ(mA) Rc//Rl(kΩ) Rc(kΩ) Vrq(V) Vrq+Vceq(V) P(mW) hie(KΩ) hfe |AV| 0.5   12.0 156.0 78.0 85.0 42.5 8.5 160 226 1.0   6.0 11.1 11.1 18.1 18.1 4.6 175 228 1.5   4.0 5.8 8.7 15.7 23.5 3.1 180 232 2.0   3.0 3.9 7.8 14.8 29.6 2.4 180 225    必要な条件を満たしており、消費電力の小さいICQ=
  • 電子回路 実験 シュミレーション 電気回路
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  • 電子情報技術の発展
  • 電子情報通信技術はどのように発展すべきか 電子情報通信技術はどのように発展するべきかという問いに対して僕が思い描いたことは、技術を利用する人々のモラルや倫理観についてだ。よく言われることではあるが、ここ10年の技術発展は著しく、インターネットに代表されるように情報を誰もが簡単に入手、使用できるのが現代の情報通信世代の特徴である。その情報を作成者の許可なく利用したり発表したりすることに関して一般の人々はそこまで抵抗を感じていないはずである。そのあたりのことについて「ネチケット」をキーワードに考えていきたい。ちなみに電子情報通信技術と言ったら本当に技術的なものについても少し調べたりもしたが、元々パソコンなどには弱く、LANがどうのなどという話を僕が語れるほどの
  • レポート 理工学 電子情報 現代の科学技術 感想
  • 550 販売中 2007/11/14
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