資料紹介
4 実験方法
本実験では，以下に示すフォトリソグラフィの一連の操作を2回行った．1回目で基板ウェハ上の2箇所に丸囲み十字のマーカーを印字し，2回目でその印を基準としてさらにあるパターンを印字した．これら2回の操作は，2回目の露光の際に1回目に印字したマーカーとフォトマスク上のマーカーを合わせたこと以外は同じである．
4.1 Crブランクスの前処理
まず，Crブランクスをアセトン中で，次にエタノール中で超音波洗浄した．そして，濾紙の上におき乾燥させた．
4.2 レジスト塗布
次に，スピンナの回転台の中央にCrブランクスを置き，VACUUMをONにした．Crブランクスが台に吸着していることを確認した後，回転数調整ダイヤルを0にした状態でSTARTボタンを押し，回転数調整ダイヤルを回して回転台の回転数を3400rpmに調整した．STOPボタンを押して一旦台の回転を停止させた後に再度STARTボタンを押し，台の回転が安定した時点でCrブランクスの回転中心付近にレジストを滴下した．レジストが広がったことを確認後，STOPを押して回転を停止させた．VACUUMをOFFにし，Crブランクスをはずした．
4.3 プリ・ベーク
次に，予め温度を95℃にしておいたオーブン中に15分間Crブランクスを置き，乾燥させた．
4.4 露光
次に，予め水銀灯を点灯しておいたマスクアライナの試料台の上にCrブランクス，フォトマスクの順に置き，VACUUMをONにしてCrブランクスを吸着固定した．2回目の場合は，試料台上に移動したアライメント顕微鏡を覗き，Crブランクス上のマーカーとフォトマスクのマーカーとが一致するように試料台の位置を微調整した．
この後，試料台を上に上げてCrブランクスとフォトマスクとを密着させた．そして，水銀灯高原を試料台上に移動後，手動でシャッタを開閉し，連続30秒間露光した．VACUUMをOFFにし，フォトマスクとCrブランクスとを試料台から取った．
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目的
本実験では，フォトリソグラフィの技術を用いて微細なパターンを形成し，できたパターンの一部を観察して形状をスケッチする．
原理
フォトリソグラフィについて
各種半導体素子の基板ウェハ上でのデバイス製作工程において，局所的加工の一手段として多用されている技術が写真製版技術の一種であるフォトリソグラフィである．この技術を用いることにより，基板ウェハ上のデバイスへの他材料の任意形状での導入や微細な電極，配線の形成等が可能である．図2.1に，Siウェハを基板とした場合のフォトリソグラフィの標準的工程図を示す．
図2.1 フォトリソグラフィの標準的工程図
エッチングにおける重要点
エッチングにおいて重要なことは，エッチング速度が適当であること，加工精度が高いこと，選択比が大きいこと，半導体の性能の劣化がないこと，生産性に優れていることである．
速度に関しては，早すぎれば制御できないし，遅すぎると生産性があがらない．
また，加工精度に関しては，特に寸法精度が守れることが重要である．このためには，異方向性エッチングが優れている必要がある．異方向性エッチングとは，図2.2のように特定の方...
