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バイポーラトランジスタ
バイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor;
BJT）はトランジスタの一種である。日本ではバイポーラトランジスタ（英: Bipolar
transistor）と呼ばれることが多い。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端
子の半導体素子であり、電流増幅およびスイッチングの機能を持つ。のちに登場した電界効果トラ
ンジスタ（FET）などのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイ
ポーラと呼ばれる。

最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言うときにはバイポーラトラン
ジスタを指すことが多い。バイポーラトランジスタという呼び名は、後に FET
が登場したことによるレトロニムである。

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』



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