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半導体ダイオードの特性

1．目的

　ｐｎ接合からなる各種半導体ダイオードの電圧－電流特性を測定し，それらの構造・特性を確認する．
2．原理

　pn接合で接合部のエネルギー障壁を越えるとp領域からn領域への正孔の注入，及びn領域からp領域への注入が可能になる．その結果，p領域からn領域に向かう方向に電流が流れる．p領域からn領域に注入された正孔はn領域の内部に進むにつれて減少する過剰な正孔分布が形成され，n領域からp領域に注入された電子はp領域の内部に進むにつれて減少する過剰な電子分布が形成される．このとき，順方向電流は印加電圧が拡散電位を越えると急激に増加し，電流は電圧に依存せず負の一定値になる．この電流を逆方向飽和電流と言う．特別に設計されたpn接合では逆方向の電圧がある特定の値以上で，電流が急激に増加する．この現象を降伏現象と呼び，その発生機構のツェナー降伏は比較的低い逆バイアス電圧で発生するのに対し，アバランシェ降伏は比較的高い電圧で発生する．ツェナー降伏を応用したツェナーダイオードは低電圧発生回路などに広く用いられている．
3．使用機器

　本実験で使用した機器を表1に示...

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